▲位於南韓京畿道平澤市的三星電子晶片生產工廠。（圖／路透）

記者羅翊宬／編譯

南韓半導體技術外流案出現重大轉折！一名曾任職於三星電子的部長級員工，涉嫌將關鍵半導體製程技術外洩給中國企業，在最高法院發回更審後遭判更重刑責。法院最終認定其非法取得並使用公司營業機密，判處6年4個月徒刑與罰金2億韓元，刑期比二審更重，凸顯國家核心技術外流對產業競爭力的嚴重衝擊。

根據韓媒《News1》，首爾高等法院刑事10-1部（法官為李相虎、李再新、李惠蘭）於今（23）日針對此案進行更審宣判。曾任職於三星電子的金姓前部長被認定違反「產業技術外洩防止法」，須服刑6年4個月，另併科罰金2億韓元（約新台幣426萬元）。

法院指出，被告以非法手段取得三星電子營業祕密，並在中國加以利用，其行為犯罪性質重大，對國家產業發展恐造成負面影響。

判決進一步強調，涉及國家核心技術的犯罪，可能使企業在DRAM（動態隨機存取記憶體）研發與商業布局上投入的龐大時間與成本付諸流水，進而削弱整體產業競爭力。不過，法院仍維持部分產業技術外洩指控的無罪判決。

金姓前部長涉嫌將三星電子18奈米DRAM製程資訊，非法轉交給中國半導體公司長鑫存儲（CXMT）。此外，當該公司決定開發半導體沉積設備後，他們也被指控進一步外洩合作廠商A公司的先進設計技術資料。

檢方認為，涉案人員早在2016年轉職至長鑫存儲時，便同步將核心技術帶往中國，並收受高達數百億韓元的不法利益，因此於2024年1月將其羈押起訴。除了主嫌外，半導體設備生產企業（合作廠商）前職員方某、金某等兩名涉案人也在更審中，因部分原判無罪事項被改判有罪，分別被判處有期徒刑3個月、有期徒刑2個月和一年緩刑。

案件歷經多次審理。一審多數認定有罪，判處主嫌7年徒刑；二審則認為其未直接參與核心技術外流，改判6年。不過，大法院（最高法院）指出，將技術資料上傳至NAS伺服器並供共犯間共享的行為，仍可能構成侵害營業祕密，認定原判決在法律適用上有誤，因而發回更審。